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资料
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PH50KPBF 单晶体管, IGBT, 45 A, 3.28 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚69815+￥6.736525+￥6.237550+￥5.8882100+￥5.7385500+￥5.63872500+￥5.51405000+￥5.464110000+￥5.3892 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PC60UPBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 600 V, 520 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚51315+￥4.023025+￥3.725050+￥3.5164100+￥3.4270500+￥3.36742500+￥3.29295000+￥3.263110000+￥3.2184 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。15515+￥32.350550+￥30.9680200+￥30.1938500+￥30.00031000+￥29.80672500+￥29.58555000+￥29.44737500+￥29.3090 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 335A 1400000mW 29Pin60581+￥3232.119010+￥3202.736125+￥3188.044750+￥3173.3532100+￥3158.6618150+￥3143.9703250+￥3129.2789500+￥3114.5874 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。43501+￥1125.916010+￥1115.680425+￥1110.562650+￥1105.4448100+￥1100.3270150+￥1095.2092250+￥1090.0914500+￥1084.9736 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 42A 130000mW 25Pin21911+￥350.382010+￥341.241650+￥334.2340100+￥331.7965200+￥329.9684500+￥327.53101000+￥326.00762000+￥324.4842 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 100000mW 24Pin E2-Pack85491+￥412.240510+￥401.486450+￥393.2416100+￥390.3738200+￥388.2230500+￥385.35531000+￥383.56292000+￥381.7706 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 125000mW 24Pin E2-Pack26921+￥530.150010+￥516.320050+￥505.7170100+￥502.0290200+￥499.2630500+￥495.57501000+￥493.27002000+￥490.9650 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin10761+￥608.326810+￥586.982050+￥584.3139100+￥581.6458150+￥577.3768250+￥573.6415500+￥569.90621000+￥565.6372 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 19A 75000mW 25Pin20871+￥197.225010+￥192.080050+￥188.1355100+￥186.7635200+￥185.7345500+￥184.36251000+￥183.50502000+￥182.6475 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 90A 280000mW 12Pin E221841+￥548.676510+￥534.363250+￥523.3897100+￥519.5728200+￥516.7101500+￥512.89331000+￥510.50772000+￥508.1222 -
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品类: IGBT晶体管描述: 对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|--- ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|---74021+￥532.657010+￥518.761650+￥508.1085100+￥504.4030200+￥501.6239500+￥497.91851000+￥495.60262000+￥493.2867 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 290000mW 12Pin Box82461+￥591.899410+￥571.131050+￥568.5350100+￥565.9389150+￥561.7852250+￥558.1508500+￥554.51631000+￥550.3626 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 20A Hex45241+￥305.175510+￥297.214450+￥291.1109100+￥288.9879200+￥287.3957500+￥285.27281000+￥283.94592000+￥282.6191 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 20A Hex49491+￥304.658010+￥296.710450+￥290.6172100+￥288.4979200+￥286.9084500+￥284.78901000+￥283.46442000+￥282.1398 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 360A 1100000mW84561+￥651.612610+￥628.749050+￥625.8911100+￥623.0331150+￥618.4604250+￥614.4593500+￥610.45811000+￥605.8854 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 6.5kV 600A 9Pin Case E-1192301+￥17406.015010+￥17247.778525+￥17168.660350+￥17089.5420100+￥17010.4238150+￥16931.3055250+￥16852.1873500+￥16773.0690 -
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品类: IGBT晶体管描述: Module Igbt Cbi93741+￥293.951510+￥286.283250+￥280.4042100+￥278.3593200+￥276.8256500+￥274.78081000+￥273.50272000+￥272.2247 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 7Pin Y3-DCB31921+￥819.591610+￥790.834050+￥787.2393100+￥783.6446150+￥777.8931250+￥772.8605500+￥767.82791000+￥762.0764 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培， 410伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK231610+￥11.9880100+￥11.3886500+￥10.98901000+￥10.96902000+￥10.88915000+￥10.78927500+￥10.709310000+￥10.6693 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG1275S-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 105A, 1.8V, 630W, 1.2kV, Module50071+￥465.819010+￥453.667250+￥444.3508100+￥441.1103200+￥438.6800500+￥435.43951000+￥433.41422000+￥431.3889 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 1200V 300A Dual58631+￥1140.667010+￥1130.297325+￥1125.112550+￥1119.9276100+￥1114.7428150+￥1109.5579250+￥1104.3731500+￥1099.1882 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 105000mW 24Pin Bulk89651+￥589.687810+￥568.997050+￥566.4107100+￥563.8243150+￥559.6861250+￥556.0653500+￥552.44441000+￥548.3062 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 1700V 450A IGBT15121+￥3273.446010+￥3243.687425+￥3228.808150+￥3213.9288100+￥3199.0495150+￥3184.1702250+￥3169.2909500+￥3154.4116 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12300WB-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 500A, 1.7V, 1.4kW, 1.2kV, Module98491+￥1474.836010+￥1461.428425+￥1454.724650+￥1448.0208100+￥1441.3170150+￥1434.6132250+￥1427.9094500+￥1421.2056 -
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品类: IGBT晶体管描述: MG12300D-BN3MM 系列 1200 V 300 A 表面贴装 双 IGBT 模块55661+￥1309.429010+￥1297.525125+￥1291.573250+￥1285.6212100+￥1279.6693150+￥1273.7173250+￥1267.7654500+￥1261.8134 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12200D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 290A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module71921+￥1122.154010+￥1111.952625+￥1106.851950+￥1101.7512100+￥1096.6505150+￥1091.5498250+￥1086.4491500+￥1081.3484 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG06600WB-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 700A, 1.45V, 1.5kW, 600V, Module55461+￥1315.490010+￥1303.531025+￥1297.551550+￥1291.5720100+￥1285.5925150+￥1279.6130250+￥1273.6335500+￥1267.6540 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 670A 2750000mW 5Pin Y3-DCB20661+￥1531.871010+￥1517.944925+￥1510.981950+￥1504.0188100+￥1497.0558150+￥1490.0927250+￥1483.1297500+￥1476.1666 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP4068D-EPBF 单晶体管, IGBT, 96 A, 1.65 V, 330 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚95555+￥30.408350+￥29.1088200+￥28.3811500+￥28.19921000+￥28.01722500+￥27.80935000+￥27.67947500+￥27.5494
